當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > PVMI系列倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點(diǎn)
室溫下工作；無需偏置；響應(yīng)時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據(jù)客戶要求設(shè)計。

打印當(dāng)前頁

發(fā)郵件給我們：ld@leadingoe.com

分享到：

產(chǎn)品介紹：

倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

PVMI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質(zhì)結(jié)紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標(biāo)準(zhǔn)）或者半球透鏡（可選）進(jìn)行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內(nèi)，特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導(dǎo)體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進(jìn)的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標(biāo)準(zhǔn)可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進(jìn)的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據(jù)需求提供。

倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器參數(shù)：

特性（@ 20ºC）	單位	LD-PVMI-8	LD-PVMI-10.6
特性波長λop	μm	8	10.6
探測率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥6 x 10⁸ ≥3 x 10⁸	≥2 x 10⁸ ≥1 x 10⁸
響應(yīng)度–at λop	*Amm/W**	≥0.04	≥0.01
響應(yīng)時間τ	ns	≤4	≤1.5
電阻	Ω	50-300	20-150
光學(xué)面積（長 × 寬）	mm× mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	36, 1.62

留言框

產(chǎn)品：
您的單位：
您的姓名：
聯(lián)系電話：
常用郵箱：
省份：
詳細(xì)地址：
補(bǔ)充說明：
驗(yàn)證碼：

請輸入計算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7

上一篇 : LD-PVM系列倍增結(jié)構(gòu)室溫型HgCdTe探測器下一篇 : PC系列光導(dǎo)室溫型HgCdTe探測器

国产高清在线精品免费软件_一级免费黄色毛片_国产大片91精品免费观看不卡_亚欧免费视频一区二区三区

當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 光電探測器 > 波蘭vigo元器件 > PVMI系列倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

倍增結(jié)構(gòu)、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

簡要描述：

留言框

產(chǎn)品：

您的單位：

您的姓名：

聯(lián)系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細(xì)地址：

補(bǔ)充說明：

驗(yàn)證碼：